Le terme technique «memristor» est composé de deux mots anglais: le premier est «mémoire» ou mémoire, et le second est résistance (c'est-à-dire résistance). L'essence de la cellule est que sa conductivité change en fonction de la charge qui la traverse (c'est-à-dire qu'elle dépend de l'historique des processus). De plus, cette dépendance est directement proportionnelle à la valeur du courant passé, intégré dans le temps.
Selon la classification des appareils avec mémoire interne, le memristor peut être classé comme un appareil électronique non linéaire avec des propriétés d'hystérésis. Autrement dit, en termes de son objectif fonctionnel, cet élément appartient à la catégorie des composants microélectroniques, qui ont la capacité de mémoriser les états précédents (photo ci-dessous).
Une nouvelle ère informatique
Dans les années 70 du siècle dernier, les scientifiques ont développé un modèle théorique décrivant la relation entre la tension appliquée à l'objet et l'intégrale de temps de la composante actuelle. Et seulement en 2008, le premier échantillon d'un élément de résistance a été créé, correspondant en partie aux propriétés déclarées.
Sa réponse aux influences du courant n'était pas similaire au comportement d'un inducteur avec son flux magnétique, ni à un condensateur qui accumule une charge. Et en même temps, il n'a pas réagi au mouvement des charges comme une résistance ordinaire. Il s'est avéré que les scientifiques ont réussi à obtenir le quatrième élément électrique, différent des trois premiers!
Les propriétés conductrices du nouveau composant ont été modifiées en raison de réactions chimiques se produisant dans un film à 2 couches de seulement 5 nm d'épaisseur. La première de ces couches a été spécialement appauvrie en raison de l'écoulement de molécules d'oxygène. Lorsqu'une tension a été appliquée, les cellules à oxygène libérées avec une charge ont commencé à «errer» entre les couches, ce qui a conduit à un changement de la résistance de l'élément.
Il ne pouvait plus revenir à la valeur précédente de conductivité, ce qui signifiait une transition conditionnelle instantanée d'un élément de «zéro» à «un». Le phénomène d'hystérésis dans le memristor a permis, à un stade précoce de l'étude, d'y voir une cellule mémoire capable de remplacer avec succès des éléments semi-conducteurs.
Perspectives d'application
Les caractéristiques considérées des memristors ouvrent théoriquement les possibilités suivantes:
- Fabrication d'éléments de mémoire avec de meilleures caractéristiques que les lecteurs flash modernes.
- Mise à jour complète de la base de données électronique des appareils où les cellules de mémoire sont utilisées.
- Une augmentation significative de leur fonctionnalité.
Important!Étant donné que le memristor corrige réellement la charge qui le traverse - lorsque vous utilisez de telles cellules dans un PC, par exemple, vous pouvez vous passer du tout de charger le système.
Lorsque vous allumez l'ordinateur, il commencera à fonctionner à partir de l'état dans lequel il a été éteint la veille. Bien sûr, ce ne sont que des hypothèses théoriques qui nécessitent une confirmation pratique dans un proche avenir.